【摘要】 本发明公开了一种具有接触刻蚀停止层的半导体器件的形成方法，包括步骤：提供已形成至少一个栅极结构的衬底；将所述衬底放入沉积室内进行接触刻蚀停止层的沉积；原位对所述接触刻蚀停止层进行氧化处理，在所述接触刻蚀停止层表面形成氧化薄膜；取出已形成氧化薄膜后的所述衬底；利用高密度等离子体化学气相沉积设备在所述氧化薄膜上形成层间介质层。本发明还公开了一种相应的具有接触刻蚀停止层的半导体器件。本发明的具有接触刻蚀停止层的半导体器件及其形成方法，可以有效地防止在沉积层间介质层步骤中因使用高密度、大功率等离子体而对栅氧化层造成损伤，避免了器件性能漂移及器件可靠性变差等现象的出现。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810227173.1 【申请日】2008-11-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740498A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740498B 【授权公告日】2013-07-24 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L21/82; H01L21/768; H01L21/31; H01L21/316; H01L27/02; H01L23/532; H01L21/70; H01L21/02; H01L23/52 【发明人】徐强; 吴永玉; 李敏 【主权项内容】一种具有接触刻蚀停止层的半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供已形成至少一个栅极结构的衬底；将所述衬底放入沉积室内进行接触刻蚀停止层的沉积；原位对所述接触刻蚀停止层进行氧化处理，在所述接触刻蚀停止层表面形成氧化薄膜；取出已形成氧化薄膜后的所述衬底；利用高密度等离子体化学气相沉积设备在所述氧化薄膜上形成层间介质层。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】4 【他引次数】1.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】4
