【摘要】 本发明提供一种轻掺杂漏极的形成方法和半导体器件，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心器件区域和输入/输出器件区域，栅极的侧壁外具有第一侧墙；在所述半导体衬底上形成掩膜层，以将所述核心器件区域覆盖；去除所述输入/输出器件区域上的栅极的侧壁外的第一侧墙；去除所述覆盖核心器件区域的掩膜层；采用离子注入法分别在所述核心器件区域和输入/输出器件区域中形成轻掺杂漏极，其中，所述核心器件区域上栅极的侧壁外的第一侧墙阻挡离子注入其下面的区域。采用本发明所述的轻掺杂漏极的形成方法能够提高栅极与源/漏极的交迭电容，避免产生热载流子效应，提高输入/输出器件的性能和可靠性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810227175.0 【申请日】2008-11-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740517A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/8238; H01L27/092; H01L21/70; H01L27/085 【发明人】毛刚; 王家佳 【主权项内容】一种轻掺杂漏极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心器件区域和输入/输出器件区域，所述核心器件区域和输入/输出器件区域上具有栅介质层和位于栅介质层上的栅极，所述栅极的侧壁外具有第一侧墙；在所述半导体衬底上形成掩膜层，以将所述核心器件区域覆盖，并露出所述输入/输出器件区域；去除所述输入/输出器件区域上的栅极的侧壁外的第一侧墙；去除所述覆盖核心器件区域的掩膜层；采用离子注入法分别在所述核心器件区域和输入/输出器件区域中形成轻掺杂漏极，其中，所述核心器件区域上栅极的侧壁外的第一侧墙阻挡离子注入其下面的区域。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】9 【自引次数】1.0 【被自引次数】6.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】9
