【摘要】 本发明公开了一种场效应晶体管的外延层及其制造方法，涉及半导体芯片技术领域。解决了现有技术存在制造方法比较复杂、工艺难度较大，导致场效应晶体管的制造效率比较低的技术问题。该场效应晶体管的外延层，包括设于漏极的衬底之上的第一外延层，第一外延层上还设有至少一层第二外延层，第一外延层以及第二外延层均包含有掺杂元素，第二外延层的掺杂元素的浓度大于第一外延层。该场效应晶体管的外延层的制造方法，包括以下步骤：采用外延生长法在漏极上的衬底之上形成包含有掺杂元素的第一外延层；采用外延生长法在第一外延层上形成至少一层包含有掺杂元素且掺杂元素的浓度大于第一外延层的第二外延层。本发明应用于提高场效应晶体管的制造效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】北大方正集团有限公司; 深圳方正微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810224091.1 【申请日】2008-10-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728423A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L29/06; H01L29/772; H01L29/78; H01L21/20; H01L21/335; H01L21/336; H01L29/02; H01L21/02; H01L29/66 【发明人】陈洪宁; 方绍明; 刘鹏飞; 王新强; 陈勇 【主权项内容】一种场效应晶体管的外延层，包括设于漏极上的衬底之上的第一外延层，其特征在于：所述第一外延层上还设有至少一层第二外延层，所述第一外延层以及所述第二外延层均包含有掺杂元素，所述第二外延层内掺杂元素的浓度大于所述第一外延层。 【当前权利人】北大方正集团有限公司; 深圳方正微电子有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区成府路298号方正大厦5层; 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园 【专利权人类型】其他有限责任公司; 有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110108101974963M; 91440300755682249E 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2
