【摘要】 本发明涉及一种有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法。有源矩阵有机发光二极管像素结构包括形成在基板上并限定了像素区域的栅线、信号线和电源线，所述像素区域内分别形成有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、像素电极和公共电极线，所述第一薄膜晶体管的第一漏电极作为第二薄膜晶体管的栅电极。由于本发明取消了现有技术的第一像素电极，不仅减少了工艺步骤，降低了生产成本，而且减少了像素结构的厚度。同时，由于本发明公共电极线与第一漏电极之间仅存在第一绝缘层，公共电极线与第一漏电极间的垂直距离较小，因此增大了公共电极线与第一漏电极间形成的存储电容。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810226095.3 【申请日】2008-11-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740604A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740604B 【授权公告日】2011-12-28 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L27/32; H01L21/84; H01L27/28; H01L21/70 【发明人】张弥 【主权项内容】一种有源矩阵有机发光二极管像素结构，包括形成在基板上并限定了像素区域的栅线、信号线和电源线，所述像素区域内分别形成有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、像素电极和公共电极线，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的第一漏电极作为第二薄膜晶体管的栅电极。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】5 【被自引次数】3.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】5
