【摘要】 一种电镀方法，包括：提供基底，所述基底表面形成有晶种层；在承载pH值为5-9的液体的槽中，以所述基底为阳极，执行电解操作；将经历所述电解操作的所述基底置于电镀溶液中，以所述基底为阴极，执行电镀操作。可在电镀过程中减少孔洞及/或断线的产生。 微信 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810224585.X 【申请日】2008-10-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101724877A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101724877B 【授权公告日】2012-05-23 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C25D7/12; C25D3/38; H01L21/288; H01L21/02 【发明人】聂佳相 【主权项内容】一种电镀方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有晶种层；在承载PH值为5-9的液体的槽中，以所述基底为阳极，执行电解操作；将经历所述电解操作的所述基底置于电镀溶液中，以所述基底为阴极，执行电镀操作。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】3.0
