【摘要】 本发明公开了一种制作氮化镓基垂直结构LED金属衬底的方法，采用两种或两种以上金属进行交替电镀，得到多层金属组成的金属衬底，其中至少有一种张应力金属和一种压应力金属相搭配。本发明将电镀中常用的电流调节应力方法和金属本身材料应力特性不同的特点结合起来，应用多种金属进行搭配，交替电镀，并通过调节各金属层电镀的电流和厚度，达到控制电镀金属内应力，实现电镀金属衬底翘曲度和GaN薄膜翘曲度相匹配的目的。与现有技术相比，本发明改善了电镀金属的致密度，有助于调节衬底支撑度；而且增强了电镀金属与GaN薄膜连接强度，改善了垂直结构LED器件的老化特性。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】北京大学; 上海蓝光科技有限公司 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810226571.1 【申请日】2008-11-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101736374A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C25D7/12; C25D5/10; H01L21/288; H01L27/15; H01L33/00; H01L21/02 【发明人】孙永健; 齐胜利; 陈志忠; 龙浩; 张国义; 郝茂盛; 潘尧波; 朱广敏 【主权项内容】一种制作GaN基垂直结构LED金属衬底的方法，采用两种或两种以上金属进行交替电镀，得到多层金属组成的金属衬底，所述金属中至少有一种张应力金属和一种压应力金属相搭配。 【当前权利人】北京大学; 上海蓝光科技有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区颐和园路5号北京大学; 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号 【专利权人类型】公立; 有限责任公司(国有控股) 【统一社会信用代码】12100000400002259P; 9131011563166660XE 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】4
