【摘要】 本发明公开了一种具有快速稳定特性的互补-金属-氧化物半导体恒电位仪，涉及传感器微弱电流检测技术，包括一个跨导运算放大器(OTA)，一个NMOS管，一个用于快速充电的开关，片内和片上稳压和滤噪声电容。跨导放大器(OTA)输出端接NMOS的栅极，NMOS的源极接运算放大器的反相输入端，组成一个电流传输器，NMOS漏极作为恒电位仪的输出端；开关跨接在跨导放大器的正、反相输入端，开关的控制端接系统的置位端。本发明能增强传感器工作电极电压的稳定，并能使电路在检测任何大小的电流时都能快速进入检测状态，本发明的恒电位仪使NMOS漏端更接近理想的恒流源输出。。 （，） 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院电子学研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100080 北京市海淀区北四环西路19号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810239334.9 【申请日】2008-12-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101750446A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101750446B 【授权公告日】2013-09-25 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】G01N27/416 【发明人】杨海钢; 吴其松; 崔秀海 【主权项内容】一种具有快速稳定特性的互补-金属-氧化物半导体恒电位仪，适用于安培型传感器，包括一个OTA，一个NMOS管，其中NMOS管的栅极接OTA的输出端，源极接OTA的反向输入端，组成一个电流传输器结构，NMOS管的漏极作为恒电位仪的输出端，传感器微电极产生的电流信号将由OTA的反相输入端进入恒电位仪，经过NMOS管后从漏端输出进入后续电流信号处理电路；其特征在于，还包括一个跨接在OTA正反相输入端上的开关和二个稳压补偿电容。。 【当前权利人】中国科学院电子学研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区北四环西路19号 【统一社会信用代码】12100000400012406C 【引证次数】1.0 【被引证次数】8 【自引次数】1.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】8
