【摘要】 本发明公开了一种在铁磁性薄膜制备过程中对原位表面磁光克尔效 应进行测量的系统，包括分子束外延系统、具有特殊光路的磁场控制系统、 表面磁光克尔效应测试系统和铁磁性薄膜样品；具有特殊光路的磁场控制 系统与分子束外延系统生长室的衬底观察窗口相对接，表面磁光克尔效应 测量系统通过调试，能够使入射激光通过磁场控制系统的特殊光路照射到 固定在处于生长位置操作器上的铁磁性薄膜样品表面，铁磁性薄膜样品表 面的反射激光能够通过磁场控制系统的特殊光路反馈到信号接收器中。同 时公开了一种在铁磁性薄膜制备过程中对原位表面磁光克尔效应进行测 量的方法。本发明具有简单方便易操作的优点，可无损伤无影响地实现原 位表面磁光克尔效应的测量。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810223614.0 【申请日】2008-09-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101685146A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101685146B 【授权公告日】2012-06-06 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G01R33/12; G01N21/00; G01N27/00 【发明人】赵建华; 姬扬; 郑厚植; 杨威; 鲁军 【主权项内容】1、一种在铁磁性薄膜制备过程中对原位表面磁光克尔效应进行测量 的系统，其特征在于，该系统包括分子束外延系统、具有特殊光路的磁场 控制系统、表面磁光克尔效应测试系统和铁磁性薄膜样品； 其中，该具有特殊光路的磁场控制系统与分子束外延系统生长室的衬 底观察窗口相对接，该表面磁光克尔效应测量系统通过调试，能够使入射 激光通过磁场控制系统的特殊光路照射到固定在处于生长位置操作器上 的铁磁性薄膜样品表面，该铁磁性薄膜样品表面的反射激光能够通过磁场 控制系统的特殊光路反馈到信号接收器中。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】11 【被他引次数】11.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】11
