【摘要】 一种溴化镧铈闪烁晶体的制备方法，其特点是：在配置溴化镧铈晶体生长原料时掺入了其它离子(加固剂)以增大晶体的抗裂强度，这种加固剂离子可以是三价离子，也可以是二价或四价离子；晶体采用特制悬挂石英坩埚下降法生长。本发明由于加固剂离子的位错钉扎作用，阻止了位错扩散和晶面滑移，有效地防止了晶体在生长和加工过程中的开裂，大大提高了所制备的溴化镧铈单晶体的强度，提高了晶体质量。 【专利类型】发明申请 【申请人】郝佳 【申请人类型】个人 【申请人地址】100085 北京市海淀区上地十街1号院3号楼0713室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810167894.8 【申请日】2008-10-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101723433A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101723433B 【授权公告日】2011-05-18 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C01F17/00 【发明人】郝佳 【主权项内容】一种溴化镧铈晶体的制备方法，化学成分中包含加固剂成分，该晶体的化学通式为(CexRyLa1-x-y)Br3，其中0.01≤x≤0.99，0.01≤y≤0.2，0≤x+y≤1。其中R是代表+3价离子加固剂，它可以是Ga、In、Tl、Sc、Bi组中的一种或数种元素的组合。 【当前权利人】河北省华凯龙科技有限公司 【当前专利权人地址】河北省保定市莲池区东三环299号 【被引证次数】7 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】7
