【摘要】 本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构及其制造方法，该方法包括：在基板上通过第一次光刻工艺形成公共电极图形；在基板上通过第二次光刻工艺形成栅极图形、栅线图形、有源层图形以及公共电极信号线图形；在基板上涂覆聚合物/有机材料层；通过第三次光刻工艺在基板上形成源极图形、漏极图形以及数据线图形；保留光刻胶，刻蚀掉欧姆接触层，形成薄膜晶体管沟道；通过第四次光刻工艺形成钝化层过孔图形；通过第五次光刻工艺形成像素电极图形，使像素电极图形通过钝化层过孔与漏极图形连接。本发明薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构及其制造方法，工艺简单，缩短了生产周期，降低了成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810056895.5 【申请日】2008-01-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101494201B 【公开公告日】2010-11-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101494201B 【授权公告日】2010-11-03 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/84; H01L21/768; H01L27/12; H01L23/522; G02F1/1362 【发明人】王章涛; 邱海军; 闵泰烨 【主权项内容】一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板制造方法，其特征在于，包括：步骤1、在基板上沉积第一透明导电层，通过第一次光刻和刻蚀形成公共电极图形；步骤2、在完成步骤1的基板上连续沉积栅金属层、栅绝缘层和有源层，通过第二次光刻和刻蚀形成栅极图形、栅线图形、有源层图形以及公共电极信号线图形；步骤3、在完成步骤2的基板上涂覆聚合物/有机材料层；通过减薄工艺使所述聚合物/有机材料层位于栅极图形、栅线图形、有源层图形以及公共电极信号线图形以外区域；在基板上连续沉积欧姆接触层、源漏电极层；通过第三次光刻和刻蚀源漏电极层形成源极图形、漏极图形以及数据线图形；保留光刻胶，刻蚀掉欧姆接触层，形成薄膜晶体管沟道；步骤4、在完成步骤3的基板上沉积钝化层，通过第四次光刻和刻蚀在源漏电极层的漏极位置形成钝化层过孔图形；步骤5、在完成步骤4的基板上沉积第二透明导电层，通过第五次光刻和刻蚀形成像素电极图形，使像素电极图形通过钝化层过孔与漏极图形连接。 【当前权利人】京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方光电科技有限公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥路10号; 北京市大兴区北京经济技术开发区西环中路8号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【引证次数】6.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】20
