【摘要】 本发明属于半导体制造装备和加工技术领域的一种多反应腔的原子层沉积装置和方法。该原子层沉积装置为A、B两相反应腔通过一个过渡腔并联在一组真空泵组上；A相反应腔、B相反应腔各自下部的反应室分别通过通道阀门和过渡腔连通，在A相反应腔、B相反应腔分别通过真空阀与各自下部的a、b反应室相通。所述沉积方法是在该装置内，集成电路的圆片在a、b反应室之间经过通道阀门来回传送，A、B两相反应交替进行，将在圆片表面逐原子层地生长出集成电路所要求厚度的纳米薄层或复合结构材料。对反应腔室的沾污小，提高淀积质量；节约反应源用量，降低工艺成本，使环境危害程度最低。 【专利类型】发明授权 【申请人】清华大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100084 北京市100084-82信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810055628.6 【申请日】2008-01-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101215692B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101215692B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C23C16/44 【发明人】严利人; 刘志弘; 刘朋; 窦维治; 韩冰 【主权项内容】一种多反应腔的原子层沉积装置，其特征在于，所述多反应腔的原子层沉积装置为A、B两相反应腔通过一个过渡腔并联在一组真空泵组上；A相反应腔下部的a反应室通过第一通道阀门和过渡腔连通；B相反应腔下部的b反应室通过第二通道阀门和过渡腔连通，在A相反应腔内设置a贮存室和a隔板，a贮存室通过第一真空阀与下部的a反应室相通，B相反应腔内设置b贮存室和b隔板，b贮存室通过第二真空阀与下部的b反应室相通，在各贮存室上部设置反应物进气阀。 【当前权利人】清华大学 【当前专利权人地址】北京市100084-82信箱 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400000624D 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】8
