【摘要】 一种Mn掺杂ZnS纳米结构的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。本发 明采用化学气相沉积的方法，在管式炉中通入流量为108～113ml/min氩气和氢气混合气 体，将ZnS粉末和MnCl2粉末在氩气和氢气混和气氛下蒸发。蒸发源放在氩气和氢气混 合气流的入口方向，硅片放在氩气和氢气混合气流的出口方向，硅片和蒸发源的水平距 离为3～6mm；管式炉升温至900～920℃，保温60～200min，保持炉内压强0.015～0.03 MPa，在空白硅片上沉积Mn掺杂ZnS纳米结构。该方法不需要催化剂，就可获得高纯 度、高结晶质量的Mn掺杂ZnS纳米材料，而且制备方法简单，成本低、易于操作。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083北京市海淀区学院路30号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810103464.X 【申请日】2008-04-07 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100582014C 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100582014C 【授权公告日】2010-01-20 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01G9/08; C01G9/00 【发明人】常永勤 【主权项内容】1、一种Mn掺杂ZnS纳米结构的制备方法，将ZnS粉末和MnCl2粉末作为 蒸发源，其特征在于，在管式炉中通入流量为108～113ml/min的氩气和氢气混 合气体；并将放有蒸发源的石英舟和经酒精和丙酮超声清洗后的空白硅片一起放 入管式炉中，蒸发源放在氩气和氢气混合气流的入口方向，硅片放在氩气和氢气 混合气流的出口方向，硅片和蒸发源的水平距离为3～6mm；将管式炉升温至 900～920℃，保温60～200min，保持炉内压强0.015～0.03MPa，生长结束后随炉 冷却至室温后取出，硅片表面沉积有Mn掺杂ZnS纳米结构的材料。 【当前权利人】北京科技大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路30号 【统一社会信用代码】121000004000022245 【引证次数】2.0 【自引次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】4
