【摘要】 本发明公开了一种通孔刻蚀方法，在通孔刻蚀中，采用小分子量气体稀释 刻蚀气体的浓度。由于小分子量气体在其稀释刻蚀气体的同时，在刻蚀过程中 产生的轰击力不足以对通道侧壁造成损伤，因此，刻蚀后得到的通孔光滑、轮 廓均匀，在通孔中填充导电材料后，填充密实，减小了通孔中填充导电材料的 阻值，保证了通孔具有良好的导电特性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810222118.3 【申请日】2008-09-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101673681A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/311; H01L21/768; H01L21/02; H01L21/70 【发明人】韩秋华; 杜珊珊; 韩宝东 【主权项内容】1.一种通孔刻蚀方法，形成通孔刻蚀结构，其特征在于，利用包含有小分 子量的稀释气体的刻蚀气体对通孔结构进行刻蚀。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1
