【摘要】 本发明涉及一种掩模板及其制备方法。该掩模板包括不透光区域、完全透光区域和部分透光区域，部分透光区域由半透明部分和透明部分交替排列形成。本发明将灰色调掩模技术和半色调掩模技术相结合制备出的一种新的掩模板，该掩模板在使用过程中使得部分透光区域下方的光刻胶曝光均匀，有利于形成光刻胶部分保留区域的平整表面，从而有利于TFT沟道刻蚀，提高了阵列基板的良品率，同时，光刻胶部分保留区域边缘的光刻胶倾角增大，有利于在形成TFT沟道过程中进行工艺的精确控制。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810226814.1 【申请日】2008-11-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101738846A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101738846B 【授权公告日】2012-02-29 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G03F1/00; G03F1/14; H01L21/84; G03F1/32 【发明人】郝金刚; 彭志龙; 朴春培; 王威 【主权项内容】一种掩模板，包括不透光区域、完全透光区域和部分透光区域，其特征在于，所述部分透光区域由半透明部分和透明部分交替排列形成。。微信 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】30 【被自引次数】14.0 【被他引次数】16.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】31
