【摘要】 本发明涉及一种聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法，它包括在锗单晶片衬底上制作多结砷化镓外延片、在外延片上涂布一层黑胶保护层，衬底采用腐蚀工艺减薄厚度、在衬底镀一层钯/银/金作为下电极、在外延片上采用负胶光刻工艺光刻出电极图形，并在电极图形上镀金锗镍/银/金作为上电极、在上电极上再蒸镀一层减反射膜以及去胶金属化后划成需要的尺寸等步骤。本发明聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法采用刻槽和腐蚀台面工艺，降低了电池的漏电流损失，提高了填充因子和开路电压，因此效率也显著提高，产品合格率也显著增加。 【专利类型】发明申请 【申请人】上海太阳能工程技术研究中心有限公司; 上海空间电源研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】200241 上海市闵行区申南路555号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】闵行区 【申请号】CN200810207794.3 【申请日】2008-12-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101764174A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】王亮兴; 李红波; 张玮; 池卫英; 姜德鹏; 余甜甜; 袁爱谊; 陈鸣波 【主权项内容】一种聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：A、以锗单晶片为衬底，利用金属有机化合物气相沉积外延生长技术，在衬底的一个面上生长太阳电池外延片；B、以外延片表面为正面，另一面为背面，在正面涂布一层黑胶保护层，背面采用腐蚀工艺减薄衬底的厚度；C、在背面镀一层钯/银/金作为下电极；D、在正面采用负胶光刻工艺光刻出电极图形，在电极图形上镀金锗镍/银/金作为上电极；E、正面经选择性腐蚀后，再蒸镀一层减反射膜；F、去胶金属化后划成需要的尺寸，即完成单体电池的制作。 【当前权利人】上海太阳能工程技术研究中心有限公司; 上海空间电源研究所 【当前专利权人地址】上海市闵行区申南路555号; 上海市闵行区东川路2965号 【专利权人类型】其他有限责任公司; 国有企业 【统一社会信用代码】91310112794480463N; 【引证次数】2.0 【被引证次数】10 【他引次数】2.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】10
