【摘要】 一种抗单粒子瞬态缓冲器单元电路，主要由单粒子瞬态抑制缓冲器电路和信号延迟电路组成，所述的信号延迟电路由反相器及延迟单元组成，所述的单粒子瞬态抑制缓冲器电路为N型单粒子瞬态抑制缓冲器电路或P型单粒子瞬态抑制缓冲器电路，利用本发明的缓冲器电路可以消除发生于输入信号上的脉冲宽度小于缓冲器内部设定的延迟时间的单粒子瞬态脉冲，有效的保护例如时钟、复位、数据等关键信号。同时，缓冲器自身也具备较强的抗单粒子瞬态能力。利用此抗单粒子瞬态缓冲器单元电路对电路进行抗单粒子设计加固，比较三模冗余等常用加固方法，可显著有效的减小抗单粒子加固所带来的面积、功耗开销。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京时代民芯科技有限公司; 中国航天时代电子公司第七七二研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】100076 北京市丰台区东高地四营门北路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】丰台区 【申请号】CN200810240872.X 【申请日】2008-12-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101447786B 【公开公告日】2010-11-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101447786B 【授权公告日】2010-11-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H03K19/0185 【发明人】边强; 岳素格 【主权项内容】一种抗单粒子瞬态缓冲器单元电路，其特征在于：主要由单粒子瞬态抑制缓冲器电路和信号延迟电路组成，所述的信号延迟电路由反相器及延迟单元组成，用于产生与输入信号A反相的信号AN、与输入信号A同相的延迟信号A～、以及与输入信号A反相的延迟信号AN～，所述的单粒子瞬态抑制缓冲器电路为N型单粒子瞬态抑制缓冲器电路，NMOS管N11、N12与PMOS管P11顺次串接，NMOS管N13、N14与PMOS管P12顺次串接，NMOS管N11的栅端接输入信号A，源端接地电位，漏端与NMOS管N12的源端连接；NMOS管N12的栅端接延迟电路产生的延迟信号A～，漏端与PMOS管P11的漏端及PMOS管P12的栅端相连接，并且作为缓冲器的反相输出YN；PMOS管P11源端接电源电位，NMOS管N13的栅端接与输入信号A反相的信号AN，源端接地电位，漏端与NMOS管N14的源端连接；NMOS管N14的栅端接信号延迟电路产生的延迟信号AN～；漏端与PMOS管P12的漏端及PMOS管P11的栅端相连接，并且作为缓冲器同相输出Y，PMOS管P12的源端接电源电位。 【当前权利人】北京时代民芯科技有限公司; 中国航天时代电子公司第七七二研究所 【当前专利权人地址】北京市丰台区东高地四营门北路2号; 【专利权人类型】有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110000781701976T 【被引证次数】6 【被他引次数】6.0 【家族被引证次数】31
