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抽气装置及半导体加工装置专利

发布时间:2026-06-11

【摘要】 本发明公开了一种抽气装置及半导体加工装置,抽气装置为筒状结构,中部形成腔体,上端和下端分别设有法兰,侧壁上设有一个或多个开口,侧壁中沿轴向设有多条气体通道,筒状结构的下部设有匀流空腔,多条气体通道的下端分别与匀流空腔相通。当半导体加工装置的工艺腔室的下部设有这种抽气装置后,下电极可以部分置于抽气装置中部的腔体中,既可以通过侧壁中的气体通道实现对工艺腔室的抽气,又可以通过侧壁上的开口对下电极进行维护和操作。提高了维护效率,减少了停机时间。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810225188.4 【申请日】2008-10-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101764042A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101764042B 【授权公告日】2011-09-14 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/00; C23C14/56; C23C16/54; F04D19/04; H01J37/32; B01J3/03; F04D19/00 【发明人】刘少锋 【主权项内容】一种抽气装置,其特征在于,该抽气装置为筒状结构,包括侧壁,所述侧壁上设有一个或多个开口,所述侧壁中沿轴向设有一条或多条气体通道。 【当前权利人】北京北方华创微电子装备有限公司 【当前专利权人地址】北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【被引证次数】5 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】5

  • 【摘要】本发明涉及一种四缸汽油发动机32位电子控制单元。本发明的技术方案包括:32位单片机的输入端与信号处理器连接,32位单片机的输出端与驱动模块、点火控制模块、节气门控制模块、协处理器连接,32位单片机还与外部存储模块连接,外部存储模块用
  • 【摘要】本发明涉及一种多效唑悬浮剂及其制备方法。该发明是由多效唑、表面活性剂、渗透剂、增效剂、增稠剂、抗氧化剂、消泡剂和水组成。其制备方法是经粉碎、均化、分散等工序制成。产品具有使用方便,成本较低,减少环境污染等优点。【专利类型】发明申请【
  • 【摘要】一种硅栅极的刻蚀方法,用于对包括硅栅的硬掩膜图案层和硅栅层的膜层进行刻蚀形成硅栅极;包括初刻蚀、主刻蚀和过刻蚀的步骤,其特征在于,在所述的初刻蚀步骤中的刻蚀剂中添加有硬掩膜图案层刻蚀抑制剂。一种提高硅栅极线宽腔室匹配的方法;本发明的
  • 【摘要】本发明涉及一种酸性水罐区排放废气的治理方法,酸性水罐区至少包括一个酸性水储罐,设置酸性水罐区废气减排系统,设置酸性水罐区废气减排系统后,罐区废气排放气量减少,排放废气进一步进行废气处理,废气处理包括冷凝系统和吸附系统;所述的酸性水罐
  • 【摘要】一种以氢氧化钠溶液为溶出剂溶出铝土矿生产氧化铝的方法,与拜尔法采用种分母液作为溶出剂的方法相比,可大幅度提高单位碱液的溶出能力,在进行预脱硅处理后可用于中低品位铝土矿中氧化铝的溶出。该方法减少了物料的无效循环,显著提高设备的生产效率
  • 【摘要】本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。制造方法包括:在基板上依次沉积半导体层、掺杂半导体层和源漏金属薄膜,通过第一次构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形;依次沉积第一绝缘层和栅金属薄膜,通过第二次