【摘要】 本发明公开了一种制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法，通过在有机材料蒸镀生长之前先在栅介质上通过常规光刻和剥离的工艺淀积一薄层叉形金属底电极线条，金属线条平行排列；蒸镀有机半导体材料后再在金属线条两边通过漏板蒸镀源漏上电极。由于有机材料的结构的疏松以及电子束蒸发的电极金属能量较大而渗透到半导体材料应内部使上下电极自动连接起来。于是，混合接触型电极的有机场效晶体管制作完成。因此，这些线条不仅取到引导有机材料有序生长的作用，而且，在上下电极互连后它们也取到一种下电极的作用。上下电极构成平行电路，这也有效减小了器件的沟道电阻，增大了有机场效应晶体管的饱和输出电流。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810240076.6 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752501A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752501B 【授权公告日】2011-06-01 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L51/40 【发明人】刘舸; 刘明; 刘兴华; 商立伟; 王宏; 柳江 【主权项内容】一种制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、在导电基底上热氧化生长绝缘介质薄膜；步骤2、在该绝缘介质薄膜表面旋涂抗蚀剂，光刻得到叉形金属底电极线条的图形；步骤3、通过电子束蒸发在叉形金属底电极线条图形上蒸镀一层金属薄膜；步骤4、用丙酮剥离掉光刻胶形成平行排列的叉形金属线条；步骤5、真空淀积生长有机半导体薄膜；步骤6、通过镂空的掩模版沉积源漏金属电极，完成混合接触型电极的有机场效应晶体管的制备。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】4 【被自引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】4
