【摘要】 本发明公开了一种金属残留物的去除方法，包括：提供具有半导体结构的晶片，所述半导体结构上具有含Pt的金属残留物；先采用HPM溶液湿法清洗所述晶片，然后采用APM溶液湿法清洗所述晶片，从而去除所述的金属残留物。采用所述的金属残留物的去除方法，能够较充分的去除含Pt的金属残留物，提高器件的可靠性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810224806.3 【申请日】2008-10-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101724847A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C23G1/02 【发明人】胡亚兰 【主权项内容】一种金属残留物的去除方法，其特征在于，包括：提供具有半导体结构的晶片，所述半导体结构上具有含Pt的金属残留物；先采用HPM溶液湿法清洗所述晶片，然后采用APM溶液湿法清洗所述晶片，从而去除所述的金属残留物。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】14 【他引次数】1.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】12.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】14
