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一种防止可编程非易失存储器中内容被误改写的方法专利

发布时间:2026-06-11

【摘要】 本发明提出一种在集成电路设计时防止存储于可编程非易失存储器中的内容被误改写的方法。利用对禁止改写地址的指示信号对可编程非易失存储器的写使能信号的控制,以及将该指示信号的引线放入划片槽,在可编程非易失存储器完成内容下载后,进行划断处理,达到在硬件上防止可编程非易失存储器中的内容被改写的目的。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京中电华大电子设计有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100102 北京市朝阳区利泽中二路2号望京科技创业园A座五层 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810239494.3 【申请日】2008-12-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752001A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752001B 【授权公告日】2012-10-17 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G11C16/22 【发明人】叶茵 【主权项内容】一种防止存储于可编程非易失存储器中的内容被误改写的方法,其特征在于通过禁止改写信号地址的指示信号Download_en(2)与写使能控制信号Write_enable(3)共同控制可编程非易失存储器(7)的写使能控制端NVM_WE(4),将下载使能信号Download_en(2)通过缓冲器(8)缓存后放入划片槽(6)中,可编程非易失存储器在完成内容下载前,写操作不受地址范围的限制,可编程非易失存储器完成内容下载后,将处于划片槽内的DEN(15)与DEN’(14)之间的连线划断,处于禁止改写地址范围的可编程非易失存储器(7)中的内容不能再被改写,禁止改写地址范围之外的内容仍可被改写,将可编程非易失存储器(7)划分为不可改写的保护区域和可编程区域。。: 【当前权利人】北京中电华大电子设计有限责任公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区利泽中二路2号望京科技创业园A座五层 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911101057393507466 【家族引证次数】4.0

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  • 【摘要】本发明涉及一种制备聚喹噁啉树脂的方法;其步骤如下:a)-c)聚醚偶酰溶液的制备;d)将10-20重量份的芳香二胺化合物或其混合物加入上述聚醚偶酰溶液中,室温搅拌反应16-24小时,最后于40-60℃反应2-5小时,得到聚喹噁啉树脂溶
  • 【摘要】本发明涉及十二烷基酚的制备方法,在石油醚溶剂中(指使用路易斯酸催化 剂时),由催化剂催化,原料为苯酚和三聚异丁烯,进行烷基化反应。反应温度为 20~90℃,反应时间为2~10小时,苯酚和三聚异丁烯比为2.0~10.0∶1(摩尔 比)
  • 【摘要】本发明为一种薄壁塑料制品的注塑成型工艺,成型塑料制品的壁厚在0.5 mm以内,主要分为注射阶段、保压阶段及冷却阶段,熔体温度采用推荐温度, 不需要提高;根据不同塑料原材料的性质以及模具结构调整模具温度20~150℃ 之间,根据不同成
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  • 【摘要】一种水滑石纳米片修饰的DNA敏感电极及其制备方法,属于电化学生物传感器及其制备技术领域。该敏感电极以玻碳电极为基底电极,由双链DNA和钴铝水滑石纳米片构成敏感膜修饰在基底电极表面。该敏感电极的制备方法是:将钴铝水滑石纳米片溶胶滴涂于