【摘要】 本发明公开了一种硅太阳能电池的制造方法，在表面成膜步骤之后增加H等离子体处理步骤，在H2气体放电等离子体气氛中进行H化处理，H等离子体中含有大量的H离子，这些H离子可以和表面的各种悬挂键结合，饱和悬挂键等缺陷；另外高温可以减小硅中的空洞、颗粒等缺陷，自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等会使系统的自由能降低，转变为热力学中更稳定的状态。能有效的减小电池的表面复合，提高太阳能电池的转换效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810225491.4 【申请日】2008-11-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101764176A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101764176B 【授权公告日】2011-11-02 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】荣延栋 【主权项内容】一种硅太阳能电池的制造方法，包括表面成膜步骤，其特征在于，所述的表面成膜步骤之后包括H等离子体处理步骤。 【当前权利人】北京北方华创微电子装备有限公司 【当前专利权人地址】北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】4
