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一种网站多数据源切换方法和装置专利

发布时间:2026-06-10

【摘要】 本发明公开了一种网站多数据源切换方法,包括:对请求参数与数据源标识之间的映射关系进行查找,获取与访问请求中的请求参数相对应的数据源标识;对访问请求的上下文进行初始化,并将获取的数据源标识写入上下文中;调用数据源切换组件从上下文中获取数据源标识,并根据数据源标识从切换策略中获取对应的数据库服务器的连接池;从数据库服务器的连接池中获取数据库连接,将访问切换到相应的数据库,并执行对数据库的访问。本发明还公开了一种网站多数据源切换装置,通过使用集中式的数据源连接管理来分配数据源资源,使得数据库服务器上需要的数据库连接总数大大减少;并且可以及时地动态分配可用的数据库资源,减少了资源的浪费。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京中企开源信息技术有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区地盛北街1号A区2号楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810226971.2 【申请日】2008-11-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101408899B 【公开公告日】2010-09-29 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101408899B 【授权公告日】2010-09-29 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G06F17/30 【发明人】赵宝刚; 张雨 【主权项内容】一种网站多数据源切换方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:A、对请求参数与数据源标识之间的映射关系进行查找,获取与访问请求中的请求参数相对应的数据源标识;B、对所述访问请求的上下文进行初始化,并将获取的数据源标识写入初始化的上下文中;C、根据获取的数据源标识将访问切换到相应的数据库,并执行对所述数据库的访问;所述步骤C包括:C1、调用数据源切换组件从所述上下文中获取所述数据源标识,并根据所述数据源标识从切换策略获取对应的数据库服务器的连接池;C2、从所述数据库服务器的连接池中获取数据库连接,将访问切换到相应的数据库,并执行对所述数据库的访问。 【当前权利人】北京中企开源信息技术有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区地盛北街1号A区2号楼 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302773350854Q 【家族被引证次数】73

  • 【专利类型】外观设计【申请人】中国人民解放军总后勤部军需装备研究所【申请人类型】科研单位【申请人地址】100010北京市东城区禄米仓69号【申请人地区】中国【申请人城市】北京市【申请人区县】东城区【申请号】CN200830132684.6【
  • 【摘要】1.本外观设计产品属于预装建筑部件领域,主要用于空间的隔离。 2.本外观设计的设计要点在于主视图的边框图案。 3.后视图无设计要点,省略后视图。【专利类型】外观设计【申请人】葛家林【申请人类型】个人【申请人地址】100067北京市丰
  • 【摘要】本发明公开了一种半导体器件的缺陷测试结构、缺陷测试方法和金属前 介质层的缺陷测试结构,其中,所述半导体器件的缺陷测试结构包括:半导 体基底;半导体基底上的n条相互平行的沟槽,其中n为大于或等于3的自 然数;所述沟槽中填充的介质层;在
  • 【摘要】一种应变金属氧化物半导体器件的制造方法,包括:提供具有栅极叠层的半导体基底;执行第一步刻蚀,以刻蚀所述栅极叠层两侧的半导体基底,在所述栅极叠层两侧的半导体基底中形成沟槽;执行第二步刻蚀,以刻蚀所述沟槽至目标深度;刻蚀所述沟槽至目标深
  • 【专利类型】外观设计【申请人】北京铁路信号工厂【申请人类型】企业【申请人地址】102613北京市大兴区黄村垡四村西路2号【申请人地区】中国【申请人城市】北京市【申请人区县】大兴区【申请号】CN200830250262.9【申请日】2008-
  • 【摘要】本发明公开了一种形成焊盘的两步刻蚀方法,包括:在形成最后一层金 属层的圆片上依次生长停止层和钝化层,所述停止层为不同于所述钝化层的 绝缘材料;将生长了停止层和钝化层的圆片光刻出焊盘的图形;根据所述焊 盘图形刻蚀所述钝化层,去除所述光