【摘要】 本发明提供一种改变等离子浓度分布的方法，适用于利于通有直流电的 线圈激发等离子的刻蚀工艺，包括：在刻蚀时段内，至少执行一次改变线圈 中直流电的电流方向的操作；得出由所述线圈激发出的等离子在所述刻蚀时 段内浓度分布均匀。本发明所提供的技术方案通过在刻蚀时段内改变直流电 的电流方向的操作，来使得在整个刻蚀时段内线圈所围成的空间内等离子的 浓度分布均匀，进而提高刻蚀速率的均匀性，提高制成IC板的性能。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810222111.1 【申请日】2008-09-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101673661A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/3065; H01J37/32; H01L21/02 【发明人】何伟业; 康芸; 杨瑞鹏; 聂佳相 【主权项内容】1、一种改变等离子浓度分布的方法，其特征在于，适用于利用通有直 流电的线圈激发等离子的刻蚀工艺，包括： 在刻蚀时段内，至少执行一次改变线圈中直流电的电流方向的操作，得 出由所述线圈激发出的等离子在所述刻蚀时段内浓度分布均匀。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237
