【摘要】 一种等离子体气相沉积方法，包括：确定沉积层的厚度，所述沉积层包含至少两层沉积分层，各所述沉积分层的厚度之和等于所述沉积层的厚度；提供基底、缓冲区和至少一个反应腔室，所述基底经由所述缓冲区进入任一所述反应腔室，以在所述基底上形成各所述沉积分层，各所述反应腔室内承载所述基底的承载台分别具有标准温度；形成每一所述沉积分层后，所述基底置于所述缓冲区内，所述缓冲区内的温度低于所述标准温度。可在控制温度恒定以提高所述金属层接触电阻的均匀性的前提下，提高生产效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810227177.X 【申请日】2008-11-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101736307A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101736307B 【授权公告日】2012-01-18 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C23C14/48; C23C16/513; C23C16/50 【发明人】聂佳相; 康芸; 杨瑞鹏 【主权项内容】一种等离子体气相沉积方法，其特征在于，包括：确定沉积层的厚度，所述沉积层包含至少两层沉积分层，各所述沉积分层的厚度之和等于所述沉积层的厚度；提供基底、缓冲区和至少一个反应腔室，所述基底经由所述缓冲区进入任一所述反应腔室，以在所述基底上形成各所述沉积分层，各所述反应腔室内承载所述基底的承载台分别具有标准温度；形成每一所述沉积分层后，所述基底置于所述缓冲区内，所述缓冲区内的温度低于所述标准温度。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】2 【他引次数】1.0 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2
