【摘要】 。本发明涉及一种真空碳热还原制备高纯球形二氧化硅的方法，采用生物质燃烧灰、粉煤灰、二氧化硅矿为原料，木炭、石油焦或煤为碳质还原剂，在真空炉内，进行碳热还原反应，生成一氧化硅气体，冷却后发生歧化反应生成球形纳米二氧化硅和球形纳米硅，经过氧化处理，生成高纯球形二氧化硅，其纯度大于99.99％，成球率达到90％以上，粒度分布均匀，粒径为50-200纳米之间，以满足电子、电器、化工产品的功能填料的需要。 【专利类型】发明授权 【申请人】昆明理工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】650031 云南省昆明市学府路253号 【申请人地区】中国 【申请人城市】昆明市 【申请人区县】五华区 【申请号】CN200810233463.7 【申请日】2008-10-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101381083B 【公开公告日】2010-10-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101381083B 【授权公告日】2010-10-13 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01B33/18 【发明人】马文会; 伍继君; 朱文杰; 杨斌; 戴永年; 徐宝强; 余文轴; 魏奎先; 梅向阳; 汪镜福; 秦博 【主权项内容】一种真空碳热还原制备高纯球形二氧化硅的方法，其特征在于：其通过以下步骤完成，1)预处理：将含二氧化硅原料与碳质还原剂各自磨成50目以下的细粉，按含二氧化硅原料∶碳质还原剂＝12∶0.8-2.5的配比进行配料，混合均匀，压块；所述含二氧化硅原料包括生物质燃烧灰、粉煤灰和二氧化硅矿中的一种，所述碳质还原剂为木炭、石油焦或煤；2)真空碳热还原：将处理好的块料置于真空炉的坩埚中进行真空碳热还原，控制真空炉内压力为1-4000Pa，温度为800-1800℃，反应时间为5-75分钟，生成一氧化硅气体和一氧化碳气体；3)冷却歧化反应：生成的一氧化硅气体在坩埚里上升的过程，随着温度降低到200℃-700℃之间，真空炉内压力为1-4000Pa，生成球形二氧化硅和球形硅；4)氧化处理：将生成的球形二氧化硅和球形硅的物料进行吹氧气氧化，吹氧气的速率控制为0.25-10L/min，时间为10-60分钟，最后得到高纯球形二氧化硅。 【当前权利人】昆明理工大学 【当前专利权人地址】云南省昆明市学府路253号 【统一社会信用代码】125300004312044864 【家族被引证次数】16
