【摘要】 ： 一种材料技术领域的固体氧化物电解槽的制作方法，具体步骤为：在金属基体上沉积所对应的金属氧化物，烧结后，自然冷却，作为阴极或直接以金属作为阴极；固体氧化物电解质粉料，通过流延成型的方法形成素坯后，在氧化气氛下，烧结后，自然冷却后得到致密固体电解质薄膜，继续沉积阳极活化层和阳极接触层，烧结，成为半电解槽；把阴极和半电解槽中的固体氧化物电解质紧密接触，构成固体氧化物电解槽。本发明避免了电解质的损耗以及可能造成的腐蚀问题。 【专利类型】发明授权 【申请人】上海交通大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】200240 上海市闵行区东川路800号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】闵行区 【申请号】CN200810032735.7 【申请日】2008-01-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101302631B 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101302631B 【授权公告日】2010-06-23 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C25C5/00; C25C7/00 【发明人】余晴春; 屠恒勇; 胡鸣若; 隋升; 李海滨 【主权项内容】一种固体氧化物电解槽的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，直接用金属作为阴极；或采用金属作为集电极，在金属基体上，沉积所对应的金属氧化物，在还原气氛或者是惰性气氛下在800℃-1000℃下烧结1小时-2小时后，自然冷却，作为阴极备用；所述的金属是指钛金属；第二步，固体氧化物电解质粉料，通过流延成型的方法，形成素坯后，在氧化气氛下在1400℃-1500℃下烧结3小时-6小时后，自然冷却后得到致密固体电解质薄膜；第三步，在固体电解质薄膜上继续沉积阳极活化层和阳极接触层，在空气气氛下在1000℃-1100℃烧结2小时-4小时，成为半电解槽；第四步，把第一步中制得的阴极和第三步中得到的半电解槽中的固体氧化物电解质紧密接触，就构成了固体氧化物电解槽。 【当前权利人】上海交通大学 【当前专利权人地址】上海市闵行区东川路800号 【统一社会信用代码】1210000042500615X0 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0
