【摘要】 本发明公开了一种在SONOS技术中提升自对准孔模块工艺窗口的结构及其制作方法，其特征在于，包括浅沟道隔离和自对准孔刻蚀(SACE)两个模块的膜层结构，采用未搀杂氧化膜作为层间膜介质，采用磷酸玻璃作为场区隔离介质。本发明可以避免由于磷酸玻璃作为PMD层间膜介质时所引入的“花苞状外壳”(flower pattern)所带来的一系列工艺难点，从而大大提升整个模块的工艺窗口。 【专利类型】发明申请 【申请人】上海华虹NEC电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201206 上海市浦东新区川桥路1188号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810043938.6 【申请日】2008-11-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740464A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740464B 【授权公告日】2012-04-18 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/311 【发明人】王函 【主权项内容】一种在SONOS技术中提升自对准孔模块工艺窗口的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在浅沟道隔离工艺长完第一层氧化物膜之后再生长一层氮化膜，作为防止后续磷酸玻璃的磷元素扩散阻挡层，淀积一层磷酸玻璃后进行化学机械抛光；步骤二、采用磷酸玻璃作为高密度等离子体化学气相沉积的材料，形成磷酸玻璃场区隔离利用光刻做出接触孔的图形；步骤三、在前道工艺完成之后在硅片上淀积一未搀杂氧化膜作为层间膜介质；步骤四、进行化学机械抛光；步骤五、利用光刻做出接触孔的图形；步骤六、利用具有未搀杂氧化膜对磷酸玻璃高选择比的干法工艺刻蚀自对准孔。 【当前权利人】上海华虹宏力半导体制造有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】91310000607374607X 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】2
