【摘要】 本发明提供一种遮光元件的镀膜方法，其包括以下步骤：提供一镀膜机、一金属钯材、一试验基材及一待镀膜基材；将金属钯材及试验基材放入镀膜机的真空腔后，调整镀膜机的电子束的功率及镀膜机气体源的气体释放量，使因电子束轰击产生的金属钯材离子与所释放的气体完全反应；取出试验基材，放入待镀膜基材，通过调整电子束功率或气体源的气体释放量之一，在所述待镀膜基材上形成一层膜层，且从靠近待镀膜基材一侧到远离待镀膜基材一侧，所述膜层中金属钯材单质的沉积浓度逐渐增加，而金属钯材化合物的沉积浓度逐渐减小；当膜层的电阻值保持不变后，镀膜完成。通过调整电子束功率或气体释放量，可得到不同效果的遮光元件。本发明还提供一种遮光元件。 【专利类型】发明申请 【申请人】鸿富锦精密工业(深圳)有限公司; 鸿海精密工业股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】宝安区 【申请号】CN200810304770.X 【申请日】2008-10-08 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101713062A 【公开公告日】2010-05-26 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101713062B 【授权公告日】2012-03-14 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C23C14/24; C23C14/14; G02B1/10; G02B5/00 【发明人】洪新钦 【主权项内容】一种遮光元件的镀膜方法，其包括以下步骤：提供一镀膜机、一金属钯材、一试验基材及一待镀膜基材；将金属钯材及试验基材放入镀膜机的真空腔后，调整镀膜机的电子束的功率及镀膜机气体源的气体释放量，使电子束轰击产生的金属钯材离子与所释放的气体完全反应；取出试验基材，并将待镀膜基材放入真空腔，通过调整电子束的功率或气体源的气体释放量之一，在所述待镀膜基材上形成一层膜层，且从靠近待镀膜基材一侧到远离待镀膜基材一侧，所述膜层中金属钯材单质的沉积浓度逐渐增加，而金属钯材反应物的沉积浓度逐渐减小；当膜层的电阻值保持不变后，镀膜完成。 【当前权利人】鸿富锦精密工业(深圳)有限公司; 鸿海精密工业股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号; 中国台湾新北市土城区中山路66号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】914403007084307436 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】3
