【摘要】 本发明涉及一种单晶型结型场效应管器件，其包括第一型杂质衬底及在第一型杂质衬底上形成的结型场效应管、泄漏电流补偿单元及正向箝位二极管单元，所述泄漏电流补偿单元及正向箝位二极管单元连接在结型场效应管的任意两极之间。为了使传声器管适应于特殊条件下的应用，还必须增添有正向箝位二极管和泄漏电流补偿器件，这样传声器才会有较好的线性度与减压特性。本发明在单晶衬底上实现结型场效应管、高阻多晶电阻、二极管的单片集成，由于没有采用外延工艺，因此芯片具有较低的成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】深圳市联德合微电子有限公司; 电子科技大学 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】518057 广东省深圳市高新区科技南6路29栋南座4B 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】南山区 【申请号】CN200810241247.7 【申请日】2008-12-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101442051B 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101442051B 【授权公告日】2010-06-23 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/08; H01L21/822; H04R3/00 【发明人】乔明; 罗波; 赵远远; 张波 【主权项内容】一种单晶型结型场效应管器件，其特征在于，包括第一型单晶型杂质衬底(1)及在第一型单晶型杂质衬底(1)上形成的结型场效应管(20)、泄漏电流补偿单元(8)及正向箝位二极管单元(9)，所述泄漏电流补偿单元(8)及正向箝位二极管单元(9)连接在结型场效应管(20)的任意两极之间。 【当前权利人】深圳市联德合微电子有限公司; 电子科技大学 【当前专利权人地址】广东省深圳市高新区科技南6路29栋南座4B; 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 【专利权人类型】有限责任公司(自然人独资); 公立 【统一社会信用代码】9144030073627483XU; 121000004507193117 【家族被引证次数】6
