【摘要】 本发明实施例公开了一种基于多级单元闪存的数据存储方法、装置。该方法包括：从存储单元块内的每一个页对中获取一个页，所述存储单元块位于多级单元闪存中；根据从所述存储单元块中获取的页生成该存储单元块的页表；根据生成的所述页表将数据写入所述存储单元块。该装置包括：页获取模块、生成页表模块和数据写入模块。本发明实施例可以进一步提高多级单元闪存的数据写入速度。 【专利类型】发明申请 【申请人】芯邦科技(深圳)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518057 广东省深圳市高新区科技中二路深圳软件园12栋7楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】南山区 【申请号】CN200810186548.4 【申请日】2008-12-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101763315A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101763315B 【授权公告日】2011-09-14 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G06F12/08; G06F12/02 【发明人】陈伟 【主权项内容】一种基于多级单元闪存的数据存储方法，其特征在于，包括：从存储单元块内的每一个页对中获取一个页，所述存储单元块位于多级单元闪存中；根据从所述存储单元块中获取的页生成该存储单元块的页表；根据生成的所述页表将数据写入所述存储单元块。 【当前权利人】深圳芯邦科技股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市高新区科技中二路深圳软件园12栋7楼 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1
