【摘要】 一种发光二极管，包括一发光二极管晶粒以及包覆于该发光二极管晶粒外围的第一封装体，该第一封装体包括一出光面，该出光面上开设若干凹陷，于该凹陷内填充第二封装体，该出光面未开设凹陷部分设置由第二封装体的材料制成的若干凸起，凹陷与凸起呈相间排列。与现有技术相比，本发明的第一封装体的出光面上设置凹凸相间的第二封装体，可降低全反射效应，增加光取出率。 【专利类型】发明申请 【申请人】富准精密工业(深圳)有限公司; 鸿准精密工业股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】宝安区 【申请号】CN200810305692.5 【申请日】2008-11-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740680A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】张家寿 【主权项内容】一种发光二极管，包括一发光二极管晶粒以及包覆于该发光二极管晶粒外围的第一封装体，其特征在于，该第一封装体包括一出光面，该出光面上开设若干凹陷，于该凹陷内填充第二封装体，该出光面未开设凹陷部分设置由第二封装体的材料制成的若干凸起，凹陷与凸起呈相间排列。 【当前权利人】富准精密工业(深圳)有限公司; 鸿准精密工业股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号; 中国台湾台北县土城市中山路3之2号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】9144030070842022XG 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】11
