【摘要】 本发明公开用于光伏-建筑一体化的透光单晶硅太阳电池的制造方法，包 括将单晶硅棒分段，切割透光孔，腐蚀透光孔壁，扩散制得p-n结，去除晶片 周边和透光孔周围的扩散层，去除磷硅玻璃，制减反射膜，制作电极，成为 具有透光孔的单晶硅太阳能电池，用于制造双玻璃光伏-建筑组件太阳能电池 之间可以相接而不留透光间隙，由透光孔实现透光，使双玻璃光伏-建筑组件 较为美观，在光伏-建筑一体化(BIPV)领域可以得到大规模的商业应用。 【专利类型】发明授权 【申请人】广东金刚玻璃科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】515061广东省汕头市金平区大学路叠金工业区 【申请人地区】中国 【申请人城市】汕头市 【申请人区县】金平区 【申请号】CN200810220602.2 【申请日】2008-12-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100583467C 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100583467C 【授权公告日】2010-01-20 【授权公告年份】2010.0 【发明人】庄大建; 郑鸿生; 林汉德; 张乐军; 肖坚伟; 沈忠灿; 洪晓东; 邱速希; 蔡岳涛; 郑新玲 【主权项内容】1.透光单晶硅太阳电池的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： A.将单晶硅棒分切成长度小于或等于160mm的硅柱，在氦气、氖气或 氩气保护气氛中，根据透光孔的尺寸和布置要求，用激光或高压水刀对硅柱 切割透光孔，用1～10wt％的NaOH水溶液腐蚀透光孔壁上30～70μm的损伤层； B.将已经切割透光孔的硅柱切割成晶片，经表面研磨，绒化处理后，进 行磷扩散形成n型层，与p型硅基底组成p-n结； C.刻蚀去除晶片周边和透光孔周围0.2～0.8mm的扩散层； D.腐蚀去除磷硅玻璃，制减反射膜； E.制作电极，成为具有透光孔的单晶硅太阳能电池。 【当前权利人】吴江金刚玻璃科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区采字路168号 【家族被引证次数】10
