【摘要】 一种助熔剂生长法中顶部籽晶重入技术，属于功能晶体材料技术领域。其特征在于，将加工好的籽晶在高于晶体生长熔液饱和点温度3-5℃的条件下，下入晶体生长熔液；将晶体生长熔液降温至饱和点温度以后，以0.5℃/天的降温速率生长5-7天，生长出具有规则外形的小晶体，然后把小晶体向上提高2-4毫米，但不离开晶体生长熔液液面；将得到的具有规则外形的小晶体作为籽晶，重新下入晶体生长熔液，开始新的生长过程，直至生长出符合要求的晶体；晶体生长结束后，将晶体提离液面，然后以4℃/h的速率降温，当降到200℃时，让其自然冷却至室温。本方法制备的晶体具有工艺简单，周期短和稳定性好的特点，所生长晶体的籽晶恢复区小、光学质量高。 【专利类型】发明授权 【申请人】山东大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】250100 山东省济南市历城区山大南路27号 【申请人地区】中国 【申请人城市】济南市 【申请人区县】历城区 【申请号】CN200810139859.5 【申请日】2008-09-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101363131B 【公开公告日】2010-07-28 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101363131B 【授权公告日】2010-07-28 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C30B15/00; C30B9/00 【发明人】王继扬; 李静; 张建秀 【主权项内容】一种助熔剂生长法中顶部籽晶重入方法，将按摩尔比配置的原料放置到白金坩埚中，在1020℃-1060℃的温度下熔化10小时，并且保温两天，使原料充分熔化，搅拌12h，使熔液充分熔化并混合均匀；其特征在于，方法如下：1)将加工好的籽晶在高于晶体生长熔液饱和点温度3-5℃的条件下，下入晶体生长熔液；2)将晶体生长熔液降温至饱和点温度以后，以0.5℃/天的降温速率生长5-7天，生长出具有规则外形的小晶体，然后把小晶体向上提高2-4毫米，但不离开晶体生长熔液液面；3)将步骤2)得到的具有规则外形的小晶体作为籽晶，重新下入晶体生长熔液，开始新的生长过程，直至生长出符合要求的晶体；4)晶体生长结束后，将晶体提离液面，然后以4℃/h的速率降温，当降到200℃时，让其自然冷却至室温。 【当前权利人】山东大学 【当前专利权人地址】山东省济南市历城区山大南路27号 【统一社会信用代码】12100000495570303U 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】4
