【摘要】 本发明公开了一种制备高纯度聚苯胺纳米线的复合电极及制备方法，属于制 备聚苯胺纳米线材料的技术。所述的复合电极其基体为不锈钢、钛、镍、钴、铝、 铁、铜、石墨或玻璃碳，基体上复合聚砜、聚醚砜、聚酰亚胺或聚醚酰亚胺的薄 膜。所述的制备方法将聚砜、聚醚砜、聚酰亚胺或聚醚酰亚胺溶于N，N-二甲基乙 酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜或间甲酚中，配制成均 匀透明铸膜液，涂敷在基体电极表面，之后迅速浸入到凝固浴中完成相转化，得 到复合电极。本发明的优点在于使用该复合电极为工作电极制备聚苯胺纳米线， 解决了在聚苯胺纳米线中存在聚苯胺颗粒的问题，提高了聚苯胺纳米线的纯度。 【专利类型】发明授权 【申请人】天津大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】300072天津市南开区卫津路92号 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】南开区 【申请号】CN200810052522.0 【申请日】2008-03-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100595337C 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100595337C 【授权公告日】2010-03-24 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C25B11/02; H01G9/04; H01G13/00 【发明人】王纪孝; 张海滨; 李寒露; 褚青献; 王志; 王世昌 【主权项内容】1.一种制备高纯度聚苯胺纳米线的复合电极，该复合电极以不锈钢、钛、 镍、钴、铝、铁、铜、石墨或玻璃碳为基体，其特征在于在基体表面上复合厚度 为5～150μm的聚砜、聚醚砜、聚酰亚胺或聚醚酰亚胺的薄膜；该复合电极的制 备方法包括以下过程：按照质量百分含量3～30％将聚砜、聚醚砜、聚酰亚胺或 聚醚酰亚胺溶于N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二 甲基亚砜或间甲酚中，配制成均匀透明铸膜液，铸膜液经静置脱泡后，均匀涂敷 在不锈钢、钛、镍、钴、铝、铁、铜、石墨或玻璃碳表面，之后将其迅速浸入到 凝固浴中完成相转化，得到制备高纯度聚苯胺纳米线的复合电极。 【当前权利人】天津大学 【当前专利权人地址】天津市津南区海河教育园区雅观路135号天津大学北洋园校区 【统一社会信用代码】12100000401359321Q 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】10
