【摘要】 一种AlxIn1-xN薄膜的制备方法，工艺步骤如下：(1)在常温常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)将处理后的衬底放入溅射室，在真空条件下采用溅射法在衬底上生长缓冲层AlN，靶材为Al，N2与Ar的流量比为9∶1，直流溅射功率50～60W，溅射时间20～30分钟，溅射过程中衬底的温度控制在400～600℃；(3)缓冲层AlN生长结束后，将靶材更换为Al-In(1∶1)合金，在真空条件下采用溅射法完成AlxIn1-xN薄膜的生长，N2与Ar的流量比为3∶1，射频溅射功率80～160W，溅射时间10～30分钟，溅射过程中衬底的温度控制在250～350℃。 【专利类型】发明授权 【申请人】四川师范大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610068 四川省成都市锦江区静安路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】锦江区 【申请号】CN200810147816.1 【申请日】2008-12-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101423927B 【公开公告日】2010-10-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101423927B 【授权公告日】2010-10-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C23C14/34; C23C14/06; C23C14/54 【发明人】徐明; 董成军; 纪红萱; 陈青云; 魏屹 【主权项内容】一种AlxIn1-xN薄膜的制备方法，其特征在于工艺步骤依次如下：(1)衬底的处理衬底为Si(111)或玻璃或蓝宝石，在常温、常压下将所述衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)缓冲层AlN的生长将经步骤(1)处理的衬底放入溅射室，在真空条件下采用溅射法在衬底上生长缓冲层AlN，靶材为Al，N2为反应气体，Ar为工作气体，N2与Ar的流量比为9∶1，直流溅射功率50W～60W，溅射时间20分钟～30分钟，溅射过程中衬底的温度控制在400℃～600℃；(3)AlxIn1-xN薄膜的生长缓冲层AlN的生长结束后，将靶材更换为Al与In的质量比为1∶1的Al-In合金，在真空条件下采用溅射法完成AlxIn1-xN薄膜的生长，N2为反应气体，Ar为工作气体，N2与Ar的流量比为3∶1，射频溅射功率80W～160W，溅射时间10分钟～30分钟，溅射过程中衬底的温度控制在250℃～350℃。。微信 【当前权利人】四川师范大学 【当前专利权人地址】四川省成都市锦江区静安路5号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12510000450718263L 【引证次数】2.0 【被引证次数】2 【他引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】9
