【摘要】 本发明公开了一种存储单元及其制造方法。此处所描述的存储单元包括一底电极、一存储元件及一侧电极。底电极与此存储元件于存储元件底部的第一接触表面电性连接，而侧电极与此存储元件于存储元件侧面的第二接触表面电性连接，其中该第二接触表面与该第一接触表面侧向面对。 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810004949.3 【申请日】2008-01-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101237026B 【公开公告日】2010-09-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101237026B 【授权公告日】2010-09-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L45/00; H01L27/24; G11C11/56; G11C16/02 【发明人】龙翔澜 【主权项内容】一种存储装置，其特征在于，该装置包括：一底电极；一存储元件，其具有一第一接触表面、一第二接触表面及一底部部份，且与该底电极于该第一接触表面电性连接，该底部部份具有一介于1至10纳米之间的厚度，其中该存储元件包含一存储材料，其具有至少两个固态相；以及一侧电极与该存储元件于该第二接触表面电性连接，其中该第二接触表面与该第一接触表面侧向面对；其中：该存储元件进一步包含一环状部份在该底部部份之上，该环状部份具有一内表面及一外表面；一介电填充材料于该环状部份的该内表面所定义的内部；该底电极与该底部部份于该存储元件的第一接触表面连接；该侧电极与该环状部份的该外表面于该存储元件的第二接触表面连接。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【引证次数】13.0 【他引次数】13.0 【家族引证次数】18.0 【家族被引证次数】6
