【摘要】 一种制备二硼化镁超导线、带材的方法，其作法是：a、制备前驱粉：取高硼化镁MgBx4≤x≤12粉末；或者按镁、硼化学计量比1∶3-20将镁粉、无定形硼粉混合成前驱粉；b、装入镁管：将前驱粉装入镁管压实并将其密封；c、装入包套管：将镁管装入金属包套管中；并在金属包套管内填满金属粉末作为阻挡层后将其密封；或者将镁管装入阻挡层金属管后再装入金属包套管内，并将金属包套管密封；d、成型处理：将金属包套管制成带、线材；e、热处理：将金属包套管放入管式炉中，在氩气保护下，以1-10℃/分钟，升温至700～1200℃温度，保温1-30小时，冷却至室温。用该法制备的MgB2超导线、带材，致密性高、晶粒连接性好，截面均匀。 【专利类型】发明授权 【申请人】西南交通大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610031 四川省成都市二环路北一段111号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】金牛区 【申请号】CN200810044433.1 【申请日】2008-05-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101279740B 【公开公告日】2010-12-22 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101279740B 【授权公告日】2010-12-22 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01B35/04; C04B35/58; H01B12/00N; H01B12/00 【发明人】潘熙锋; 赵勇; 杨烨; 周杰俤 【主权项内容】一种制备二硼化镁超导线、带材的方法，其具体作法是：a、制备前驱粉：取高硼化镁MgBx4≤x≤12粉末作为前驱粉，并按硼、掺杂物质的化学计量比1∶0.001‑0.25，掺入C或含C化合物和/或不含碳的纳米粒子，采用球磨、手工研磨或者超声分散的方法均匀混合成前驱粉；或者按镁、硼化学计量比1∶3‑20将镁粉或屑、无定形硼粉，并按硼、掺杂物质的化学计量比1∶0.001‑0.25，掺入C或含C化合物和/或不含碳的纳米粒子，采用球磨、手工研磨或者超声分散的方法均匀混合成前驱粉；所述的C或含C化合物为：纳米SiC，纳米C，石墨，碳化硼，苹果酸C4H6O5，酒石酸C4H6O6，硬脂酸C18H36O2，马来酐C4H2O3，甲苯C7H8中的一种或其混合物；不含碳的纳米粒子为稀土氧化物、Ti、Ag、Zr纳米材料的一种或其混合物；b、装入镁管：将a步的前驱粉装入镁管中压实并将镁管两端密封；c、装入包套管并设置阻挡层：将b步的镁管装入金属包套管中；并在金属包套管内镁管间的空隙处填满金属粉末作为阻挡层，然后将金属包套管两端密封；或者将b步的镁管装入阻挡层金属管，Mg管与阻挡层金属管之间的空隙处用Mg粉填满，阻挡层金属管再装入金属包套管内，且阻挡层金属管与金属包套管之间的空隙处用金属包套管或阻挡层金属管的金属粉末填满，然后将金属包套管两端密封；d、成型处理：将c步制备的金属包套管压制成带材或拨拉成线材；e、热处理：将d步处理得到的带材或线材放入管式炉中，在氩气保护气氛下，按1‑10℃/分钟的速率，升温至700～1200℃的热处理温度，保温1‑30小时，冷却至室温，即得。 【当前权利人】西南交通大学 【当前专利权人地址】四川省成都市二环路北一段111号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000450752090P 【家族被引证次数】6
