【摘要】 利用劳埃镜实现无掩模表面等离子体干涉光刻的装置，包括调节入射光角度的精密转台，耦合激发表面等离子体干涉的直角梯形棱镜，压紧基片和直角梯形棱镜的压紧装置，固定压紧装置的支架；将直角梯形棱镜一个侧面固定于精密转台上，使P偏振的激光束垂直入射至其斜面，微调精密转台确定激发表面等离子体的实际共振角；将涂有光刻胶的基片置于棱镜底面并调节压紧装置将棱镜和基片压紧；用宽光束以实际共振角入射至棱镜，在金属膜下表面实现表面等离子体干涉并对光刻胶曝光；取下曝光后的基片；对光刻胶后烘、显影，实现表面等离子体干涉光刻；本发明具有成本低廉、工作效率高、加工图形区域面积大、容易装调等优点，还有利于纳米光子晶体和人工材料的研究和应用。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院光电技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】610209 四川省成都市双流350信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】双流区 【申请号】CN200810239210.0 【申请日】2008-12-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101441421B 【公开公告日】2010-10-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101441421B 【授权公告日】2010-10-20 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G03F7/20; G03F7/00 【发明人】方亮; 王长涛; 刘尧; 罗先刚 【主权项内容】一种利用劳埃镜实现无掩模表面等离子体干涉光刻的装置，其特征在于：包括：用于调节入射光角度的精密转台；用于耦合激发表面等离子体干涉的直角梯形棱镜；用于压紧基片和直角梯形棱镜的压紧装置；用于固定压紧装置的支架；所述的直角梯形棱镜的下底面沉积有一层厚度为30nm-50nm的金属膜。 【当前权利人】中国科学院光电技术研究所 【当前专利权人地址】四川省成都市双流350信箱 【统一社会信用代码】12100000450811820A 【家族被引证次数】10
