【摘要】 噪声防护电路，包含设置于半导体基底中的第一N井区、第一 N+扩散区域、第一P+扩散区域、第二N+扩散区域、第二N井 区、第三P+扩散区域、以及第四P+扩散区域。该第一N+扩散 区域设置于该第一N井区内。该第一P+扩散区域及该第二N+扩 散区域，分别为N型二极管的阳极以及阴极，位于该第一N井区 的第一侧。该第二N井区位于该第一N井区的第二侧。该第三P +扩散区域，以及该第四P+扩散区域，设置于该第二N井区内， 且两者之间的表面上方设置有闸极。 【专利类型】发明申请 【申请人】瑞鼎科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810127690.1 【申请日】2008-07-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101626019A 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101626019B 【授权公告日】2010-11-10 【授权公告年份】2010.0 【发明人】杨景荣; 谢宗轩; 饶永年 【主权项内容】1.一种噪声防护电路，其包含有： 半导体基底； 第一N井区，设置于所述半导体基底中； 第一N+扩散区域，设置于所述第一N井区内，耦接于 第一电源； 第一P+扩散区域，设置于所述半导体基底内，耦接于所 述第一电源，位于所述第一N井区的第一侧，所述第一P+ 扩散区域为N型二极管的阳极； 第二N+扩散区域，位于所述第一N井区的第一侧，为 所述N型二极管的阴极； 第二N井区，设置于所述半导体基底中，位于所述第一 N井区的第二侧； 第三N+扩散区域，设置于所述第二N井区内，耦接于 第二电源； 第三P+扩散区域以及第四P+扩散区域，设置于所述第 二N井区内；以及 闸极，设置于所述第三P+扩散区域与所述第四P+扩散 区域之间的所述第二N井区的上方。 【当前权利人】瑞鼎科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市
