【摘要】 一种微码修补扩充机制，包括：一修补随机存取存储器、一扩充随机存取存储器、以及一控制器。该修补随机存取存储器储存多个第一修补指令。该微处理器执行所述多个第一修补指令，以替代储存于一微码只读存储器之一个或多个微指令。该扩充存储器储存多个第二修补指令。所述多个第二修补指令之数目大于所述多个第一修补指令之数目。该微处理器执行所述多个第二修补指令，以替代储存于该微码只读存储器之一个或多个第二微指令。该控制器执行一扩充随机存取存储器微指令，以指示由该修补随机存取存储器载入所述一个或多个第二修补指令，以及，将所述一个或多个第二修补指令载入该修补随机存取存储器。 【专利类型】发明授权 【申请人】威盛电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810108787.8 【申请日】2008-06-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101286117B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101286117B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G06F9/24 【发明人】G·葛兰·亨利; 泰瑞·派克斯 【主权项内容】一种微码修补扩充装置，是于一微处理器内，包括：一修补随机存取存储器，被配置用以储存多个第一修补指令，其中，该微处理器执行上述第一修补指令，以替代储存于一微码只读存储器之一个或多个微指令；一扩充随机存取存储器，耦接上述修补随机存取存储器，被配置用以储存多个第二修补指令，其中，上述第二修补指令之数目较上述第一修补指令之数目多，且其中，该微处理器执行上述第二修补指令，以替代储存于上述微码只读存储器之一个或多个微指令；以及一控制器，耦接上述修补随机存取存储器及上述扩充随机存取存储器，被配置用以执行一扩充随机存取存储器EXPRAM微指令，以指示由上述修补随机存取存储器载入一个或多个第二修补指令，以及，被配置用以将上述一个或多个第二修补指令载入至上述修补随机存取存储器；其中，上述EXPRAM微指令控制上述一个或多个第二修补指令与对应的一个或多个上述第一修补指令调换。 【当前权利人】威盛电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】1
