【摘要】 本发明揭示一具有隧穿层结构及电流散布层的发光元件。此发光元件具 有一导电基板，此基板之上有一粘结层；粘结层之上有一外延层结构，其包 括一第一导电性半导体层，一有源层及一第二导电性半导体层；外延层结构 之上有一隧穿层结构，其包括一第一掺杂浓度的第一导电性半导体层及一第 二掺杂浓度的第二导电性半导体层；隧穿层结构之上有一电流散布层。 【专利类型】发明申请 【申请人】晶元光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810144583.X 【申请日】2008-08-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101656280A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101656280B 【授权公告日】2012-01-11 【授权公告年份】2012.0 【发明人】吕琪玮; 蔡孟伦 【主权项内容】1.一发光元件，包含： 一导电性永久基板； 一粘结层，位于该导电性永久基板上方； 一外延层结构，位于该粘结层上方且通过该粘结层与该导电性永久基板 接合； 一隧穿层结构，位于该外延层结构上方，其中该隧穿层结构包括： 一具第一掺杂浓度的第一导电性半导体层，其中该第一掺杂浓度范 围至少大于6×1019/cm3；及 一具第二掺杂浓度的第二导电性半导体层，位于该第一第一导电性 半导体层之上，其中该第二导电性与该第一导电性相异，且该第二掺杂浓度 范围至少大于6×1019/cm3；以及 一电流散布层，位于该隧穿层结构上方。 【当前权利人】晶元光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
