【摘要】 一种利用多层金属介质膜结构实现亚波长干涉光刻的方法，其特征在于以下步骤：(1)首先选择基底材料；(2)在基底表面旋涂抗蚀剂；(3)在抗蚀剂表面交替蒸镀金属材料薄膜和介质材料薄膜，形成交替排布的金属层和介质层；(4)设计周期结构图形掩模并放置于上步骤获得的结构表面；(5)对所得的结构进行曝光；(6)曝光结束后，去除掩模结构；(7)再去除金属层材料和介质层材料；(8)将所得的结构放入与抗蚀剂相匹配的显影液中进行显影；(9)将显影后的结构进行干法刻蚀，将结构传递到基底上去；(10)去除结构表面残留的抗蚀剂，获得最终亚波长周期结构图形；利用上述方法本发明可以实现大面积、均匀的、周期在波长以下的周期结构图形。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院光电技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】610209 四川省双流350信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】双流区 【申请号】CN200810104088.6 【申请日】2008-04-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101261454B 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101261454B 【授权公告日】2010-06-30 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G03F7/20; G03F7/26; G03F7/004; G03F1/08; G03F1/00; G03F1/80 【发明人】王长涛; 徐挺; 史立芳; 赵延辉; 崔建华; 杜春雷; 罗先刚 【主权项内容】一种利用多层金属介质膜结构实现亚波长干涉光刻的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)首先选择基底材料；(2)在基底表面旋涂抗蚀剂，厚度为d；(3)在抗蚀剂表面交替蒸镀金属材料和介质材料，形成交替排布的金属层和介质层；其中在紫外光波长下，所述金属材料的介电常数实部的绝对值大于所述介质材料的介电常数的实部；(4)设计掩模结构；所述掩模结构为透光和不透光区域交替形成的周期结构图形；(5)将设计好的掩模结构放置于步骤(3)获得的结构表面；(6)对步骤(5)所得的结构进行曝光；曝光时所采用的曝光光源为相干紫外平行光，且曝光光源要垂直于掩模表面入射；(7)曝光结束后，去除掩模结构；(8)去除步骤(7)中所得的结构中的交替排布的金属层和介质层；(9)将步骤(8)中所得的结构放入与抗蚀剂相匹配的显影液中进行显影；(10)将显影后的结构进行干法刻蚀，将结构传递到基底上去；(11)去除步骤(10)中所得结构表面残留的抗蚀剂，获得最终亚波长周期结构。 【当前权利人】中国科学院光电技术研究所 【当前专利权人地址】四川省双流350信箱 【统一社会信用代码】12100000450811820A 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】8
