【摘要】 本发明涉及一种硅湿法腐蚀制作多级微反射镜的方法，包括如下步骤：选择上表面与(111)面偏一定角度的硅片作为多级微反射镜材料，并对其上表面进行抛光；在硅片表面生长一层掩蔽材料；在硅片上表面形成条状掩蔽薄膜图形；对未被掩蔽薄膜覆盖的表面进行各项异性腐蚀得到阶梯状结构；在阶梯状结构的表面镀增反膜，得到多级微反射镜。本发明由于采用一次光刻得到掩蔽薄膜图形，并利用各向异性腐蚀技术中硅片(111)面的特殊性，得到多级微反射镜反射面和截断面，因而在制作过程中横向尺寸误差小，能够较精确地控制腐蚀深度，有效提高了阶梯纵向尺寸精度及重复性。本发明工艺简单，工艺步骤少，有利于提高制作效率。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】130033 吉林省长春市东南湖大路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】二道区 【申请号】CN200810050786.2 【申请日】2008-06-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101290362B 【公开公告日】2010-10-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101290362B 【授权公告日】2010-10-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02B5/08; G03F7/00; G02B1/10; G02B1/14 【发明人】梁静秋; 梁中翥; 禹秉熙 【主权项内容】一种硅湿法腐蚀制作多级微反射镜的方法，其特征在于包括如下步骤：a、选择上表面与(111)面偏一定角度的硅片作为多级微反射镜材料，并对其上表面进行抛光；硅片上表面与(111)晶面的夹角根据多级微反射镜的参数设定；b.在硅片表面生长一层二氧化硅薄膜或二氧化硅与氮化硅复合膜作为硅片腐蚀的掩蔽材料，薄膜厚度在20nm-2000nm之间；c.光刻，腐蚀，去胶，在硅片上表面形成条状掩蔽薄膜图形；d.将步骤c制作完成的硅片放入硅的各向异性腐蚀液中，对未被掩蔽薄膜覆盖的表面进行各项异性腐蚀，腐蚀液的温度控制在60℃～80℃；当腐蚀到硅的(111)面时，停止腐蚀，经过去离子水冲洗，得到阶梯状结构；e.在阶梯状结构的表面镀增反膜，得到多级微反射镜。 【当前权利人】中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 【当前专利权人地址】吉林省长春市东南湖大路16号 【统一社会信用代码】1210000041275487XF 【引证次数】1.0 【被引证次数】1 【他引次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】11
