【摘要】 一种积累层控制的晶闸管，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过P+旁路区(4)和N-耗尽区(33)形成的内建电场构成电子势垒来阻止电子的流通，从而控制晶闸管的关断。当栅上加正电压时，在N-耗尽区(33)与栅氧化层(6)交界面形成积累层，在P型基区(8)形成电子反型沟道，电子通过N+源区(9)经积累层、N+层(200)、反型电子沟道到达N-基区(3)，从而控制器件的正常工作。本发明以积累层控制晶闸管取代了传统的以MOS管控制晶闸管的栅控类晶闸管，可获得更低的导通压降和更大的饱和电流密度，且没有寄生效应，克服了传统栅控晶闸管缺乏电流饱和特性，关断能力较弱的缺点，安全工作区得到大幅度提高。。 【专利类型】发明授权 【申请人】电子科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610054 四川省成都市建设北路二段四号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】郫都区 【申请号】CN200810147690.8 【申请日】2008-11-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101478002B 【公开公告日】2010-08-11 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101478002B 【授权公告日】2010-08-11 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/74 【发明人】李泽宏; 钱梦亮; 张波 【主权项内容】一种积累层控制的晶闸管，包括金属化阳极(1)、阳极P区(2)、N-基区(3)、P+旁路区(4)、金属化阴极(5)、栅氧化层(6)、多晶硅栅(7)、P型基区(8)、N+源区(9)、N-耗尽区(33)和N+层(200)；其特征在于：N-基区(3)与金属化阴极(5)之间夹着一个沟槽式绝缘栅，所述沟槽式绝缘栅由栅氧化层(6)和多晶硅栅(7)构成，其中栅氧化层(6)位于多晶硅栅(7)的表面且包围整个多晶硅栅(7)；位于沟槽式绝缘栅侧面的N-基区(3)与金属化阴极(5)之间从下往上依次是P型基区(8)、N+层(200)和N-耗尽区(33)，N-耗尽区(33)上方横向排列有一个P+旁路区(4)和一个N+源区(9)，P+旁路区(4)、N+源区(9)和沟槽式绝缘栅的上面是金属化阴极(5)，P+旁路区(4)和沟槽式绝缘栅之间夹着N+源区(9)和部分N-耗尽区(33)。 【当前权利人】电子科技大学 【当前专利权人地址】四川省成都市建设北路二段四号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】121000004507193117 【家族被引证次数】6
