【摘要】 本发明属于绝缘导体领域，具体涉及一种聚醚醚酮薄膜绕包一高温烧结绝 缘导体及其生产工艺，旨在解决现有绝缘导体在核环境下长时间工作绝缘性能 下降的问题；本发明提供一种聚醚醚酮薄膜绕包一高温烧结绝缘导体，它由内 导体(1)和紧密附着在内导体(1)上的绝缘层(2)组成；内导体(1)的直 径为0.8～40mm，绝缘导体绝缘层(2)的厚度范围为0.05～0.8mm；还提供其生 产工艺，包括校直内导体、处理内导体表面、包覆薄膜、熔融薄膜、冷却五个 步骤；有益效果：该绝缘导体具有耐高温、耐辐照和耐高温水解性、绝缘层材 料一致性较好，烧结过程中不会产生有毒物质；工艺过程简单，适合各种规模 生产；适合于全线径导体的绝缘层制造。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国核动力研究设计院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】610041四川省成都市一环路南三段28号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】武侯区 【申请号】CN200810146485.X 【申请日】2008-09-01 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101667470A 【公开公告日】2010-03-10 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01B7/00; H01B3/30; H01B13/00; H01B13/06 【发明人】罗志远; 王广金; 周天; 郑兰疆 【主权项内容】1.一种聚醚醚酮薄膜绕包-高温烧结绝缘导体，其特征在于：所述绝缘导 体由内导体(1)和紧密附着在内导体(1)上的绝缘层(2)组成；内导体(1) 为铜材，其直径为0.8mm～40mm，绝缘层(2)为高性能绝缘材料，其厚度为 0.05mm～0.8mm。。 【当前权利人】中国核动力研究设计院 【当前专利权人地址】四川省成都市一环路南三段28号 【引证次数】1.0 【被引证次数】6 【他引次数】1.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】6
