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墙纸(176)专利

发布时间:2026-06-22

【摘要】省略其他视图。【专利类型】外观设计【申请人】段晋蓉【申请人类型】个人【申请人地址】610000四川省成都市高新区神仙树南路8号45栋1单元6号【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请人区县】武侯区【申请号】CN200830342962.0 【申请日】2008-12-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN301101293D 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN301101293D 【授权公告日】2010-01-06 【授权公告年份】2010.0 【发明人】段晋蓉【主权项内容】无【当前权利人】段晋蓉【当前专利权人地址】四川省成都市高新区神仙树南路8号45栋1单元6号

近空间升华法制备大面积化合物半导体源
【摘要】本发明“近空间升华法制备大面积化合物半导体源”属于半导体薄膜及其源材料的制备设备之技术领域。在化合物半导体薄膜与器件的制造中，常常使用近空间升华技术、溅射技术或真空蒸发技术。在这些技术中，如果要沉积大面积样品，都需要用同种材料
一种水力压裂的复合压裂液的制备方法
【摘要】。本发明公开了一种水力压裂的复合压裂液的制备方法，包括如下步骤：a、在室温下，将阴离子聚丙烯酰胺溶液、阳离子聚合物溶液和共溶剂溶液按照一定比例均匀混合，慢速搅拌至完全溶解，形成复合聚电解质溶液；b、将步骤a所制得的复合聚电解质溶液
写字椅(lev82-05)
【摘要】省略其它视图。【专利类型】外观设计【申请人】李顺龙【申请人类型】个人【申请人地址】610000四川省成都市新都区新繁镇东环路123号附2号【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请人区县】新都区【申请号】CN20083034419
配餐柜(7P01)
【摘要】后视图与仰视图无设计要点，省略后视图与仰视图。【专利类型】外观设计【申请人】王自松【申请人类型】个人【申请人地址】610501四川省成都市新都区新繁镇好风景大道1号【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请人区县】新都区【申请号】
墙纸(199)
【摘要】省略其他视图。【专利类型】外观设计【申请人】段晋蓉【申请人类型】个人【申请人地址】610000四川省成都市高新区神仙树南路8号45栋1单元6号【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请人区县】武侯区【申请号】CN200830342
装饰配件(009)
【摘要】省略其他视图。【专利类型】外观设计【申请人】段晋蓉【申请人类型】个人【申请人地址】610000四川省成都市高新区神仙树南路8号45栋1单元6号【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请人区县】武侯区【申请号】CN200830344

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