【摘要】 本发明公开了一种有机薄膜晶体管，包括基板、栅电极、绝缘层、有机半导体层、漏电极和源电极，结构组成为顶部接触式、底部接触式和顶部栅极式中的一种，其特征在于：还包括结合层，所述结合层由电子型有机半导体材料中的一种或多种构成，所述电子型有机半导体材料包括小分子电子传输材料、小分子电子注入材料、介电性聚合物高分子材料以及三者的掺杂体系。结合层修饰有机半导体层的界面，提高器件的迁移率和开关比，降低器件的夹断电压，同时利用起始栅极电压调控器件的阈值电压。该有机薄膜晶体管由于其制备工艺简单、成本低和柔韧性好等优点，在智能卡、电子商标、电子纸、存储器、传感器和有源矩阵显示器等应用方面前景广阔。 【专利类型】发明授权 【申请人】电子科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610054 四川省成都市成华区建设北路二段四号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】成华区 【申请号】CN200810044528.3 【申请日】2008-04-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101257092B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101257092B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L51/05; H01L51/40 【发明人】于军胜; 李璐; 张磊; 蒋亚东 【主权项内容】一种有机薄膜晶体管，包括基板、栅电极、绝缘层、有机半导体层、漏电极和源电极，结构组成为顶部接触式、底部接触式和顶部栅极式中的一种，其特征在于：还包括结合层，所述结合层由电子型有机半导体材料中的一种或多种构成，所述电子型有机半导体材料包括小分子电子传输材料和介电性聚合物高分子材料的掺杂体系或者小分子电子注入材料和介电性聚合物高分子材料的掺杂体系，并且该电子型有机半导体材料位于有机半导体层和绝缘层之间。 【当前权利人】电子科技大学 【当前专利权人地址】四川省成都市成华区建设北路二段四号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】121000004507193117 【家族被引证次数】12
