【摘要】 一种有机薄膜晶体管，包括基板、栅电极、绝缘层、有机半导体层、漏电极和源电极，结构组成为顶部接触式、底部接触式和顶部栅极式中的一种，其特征在于：还包括过渡层，所述过渡层由空穴型有机半导体材料中的一种或多种构成。目的是要优化有机薄膜晶体管的制作工艺，提高有机薄膜晶体管的性能，大幅降低有机薄膜晶体管的成本，为有机薄膜晶体管的产业化降低工艺要求和成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】电子科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610054 四川省成都市成华区建设北路二段四号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】成华区 【申请号】CN200810044529.8 【申请日】2008-04-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101257093B 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101257093B 【授权公告日】2010-06-30 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L51/05; H01L51/40 【发明人】于军胜; 李璐; 张磊; 蒋亚东 【主权项内容】 一种有机薄膜晶体管，包括基板、栅电极、绝缘层、有机半导体层、漏电极和源电极，结构组成为顶部接触式、底部接触式和顶部栅极式中的一种，其特征在于：还包括过渡层，所述过渡层由空穴型有机半导体材料中的一种或多种构成，所述空穴型有机半导体材料为介电性聚合物高分子材料与小分子空穴传输材料的掺杂体系或介电性聚合物高分子材料与小分子空穴注入材料的掺杂体系，该过渡层位于有机半导体层和绝缘层之间。 【当前权利人】电子科技大学 【当前专利权人地址】四川省成都市成华区建设北路二段四号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】121000004507193117 【家族被引证次数】5
