【摘要】 本发明属于表面图案化微结构构筑技术，涉及利用自组装技术与反应离子束刻蚀技术相结合，在基底上构筑具有抗反射性能的微结构的方法。其是以单层聚合物微球、二氧化硅微球、金属或金属氧化物的纳米粒子为阻挡层，对基底进行RIE刻蚀，这样就在基底上构造出类似锥形的微结构，该结构具有极高的抗反射性能，进而有效的提高了光能利用率，降低光学系统中杂光的干扰和提高光学的透过率，从而提高光学系统的灵敏度和稳定性，可用于构筑大面积的抗反射结构。本专利所述方法具有操作简单、基底可变、适用性强、重复性好、成本低、效率高、抗反射的适用波长可调、符合工业化标准等特点，可以用于太阳能电池、白光传感器等光电器件的制作。 【专利类型】发明授权 【申请人】吉林大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】130023 吉林省长春市朝阳区前进大街2699号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810050888.4 【申请日】2008-06-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101308219B 【公开公告日】2010-09-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101308219B 【授权公告日】2010-09-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02B1/11; G03F7/00; B81B1/00 【发明人】吕男; 徐洪波; 齐殿鹏; 高立国; 迟力峰 【主权项内容】以单层纳米粒子为刻蚀阻挡层构筑抗反射微结构的方法，其步骤如下：A，选取基底，对基底进行清洁及亲水化处理；B，通过自组装技术、功能吸附方法或电沉积的方法将单层纳米粒子组装到基底上，从而在基底上得到单层的纳米粒子的阵列结构，其周期为100nm～10μm；C，以单层纳米粒子的阵列结构为反应离子刻蚀的阻挡层，对基底进行刻蚀，从而在基底上得到锥形的具有抗反射性能的结构。 【当前权利人】吉林大学 【当前专利权人地址】吉林省长春市朝阳区前进大街2699号 【统一社会信用代码】121000004232040648 【引证次数】6.0 【自引次数】1.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】74
