【摘要】 一种CdGeAs2晶体的腐蚀剂，由盐酸、硝酸和纯净水配制而成，盐酸、硝酸、纯净水的体积比为盐酸 : 硝酸 : 纯净水＝1 : 1 : 1，所述盐酸的质量浓度为35～38％，所述硝酸的质量浓度为65～68％。一种CdGeAs2晶体的腐蚀方法，使用上述腐蚀剂，其工艺步骤依次如下：(1)腐蚀，将研磨、抛光处理后的CdGeAs2晶片浸入腐蚀剂中，在摆动下于常压、15℃～30℃腐蚀15秒～40秒取出；(2)清洗，将从腐蚀剂中取出的CdGeAs2晶片浸入碱性清洗剂中终止腐蚀反应，再用纯净水清洗至中性；(3)干燥，将清洗后的CdGeAs2晶片在常压下自然干燥或烘干。 【专利类型】发明授权 【申请人】四川大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610207 四川省成都市双流县川大路四川大学 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】双流区 【申请号】CN200810046286.1 【申请日】2008-10-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101381893B 【公开公告日】2010-09-29 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101381893B 【授权公告日】2010-09-29 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C30B33/10; G01N1/32 【发明人】赵北君; 朱世富; 何知宇; 陈宝军; 邓江辉 【主权项内容】一种CdGeAs2晶体的腐蚀剂，其特征在于由盐酸、硝酸和纯净水配制而成，盐酸、硝酸、纯净水的体积比为盐酸 : 硝酸 : 纯净水＝1 : 1 : 1，所述盐酸的质量浓度为35～38％，所述硝酸的质量浓度为65～68％。 【当前权利人】四川大学 【当前专利权人地址】四川省成都市双流县川大路四川大学 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】121000004000091949 【家族被引证次数】8
